刻蚀、离子注入、薄膜、量检测、光刻，设备与工艺的协奏舞台-IC制造发展产业链论坛

发布时间：2025-09-25 17:25:29 浏览量：1

IC制造作为先进制造业的核心，一直是推动科技进步与产业升级的关键力量。由SEMI中国主办的“IC制造发展产业链论坛”今日在北京亦庄举行，百名产业专家齐聚，共同聚焦刻蚀、离子注入、ASD、OHT、OVL测量、超精密光刻物镜与绿色机能水七大技术，分享最新突破与产业化路径。

SEMI中国总裁冯莉在会议致辞中表示：当前，中国半导体产业正处于欣欣向荣的发展时期，同时也面临着复杂环境带来的机遇与挑战，而AI浪潮、供应链重构与生态建设正是我们突破困局、实现高质量发展的核心关键。供应链的韧性与安全是产业稳定发展的基石，半导体产业的复杂性决定了没有任何企业能单打独斗，SEMI中国将继续发挥产业的桥梁纽带作用，与大家携手应对政策带来的影响、技术瓶颈的挑战，在AI时代抢抓机遇，在供应链重构中筑牢根基，在生态共建中实现共赢。

北京北方华创微电子装备有限公司CTO王建宗博士率先登台，带来《时分复用等离子体刻蚀压电材料》报告。他指出，在IC制造中，刻蚀工艺至关重要，而压电材料的刻蚀更是其中的难点与关键。BAW在5G通讯中是不可或缺的重要器件，Sc掺杂的AIN和PZT等压电材料是制备BAW器件的重要活性材料。他深入剖析了时分复用等离子体刻蚀技术在压电材料领域的应用与创新，详解了含Sc量20%的ScAIN如何刻蚀。

青岛思锐智能科技股份有限公司副总经理谢均宇先生以《从装备到工艺：离子注入技术的创新发展》为题，介绍了离子注入技术是IC制造中的关键环节，是最基础的制备工艺，直接影响到芯片的性能与质量。他从装备和工艺两个维度，为我们全面阐述了离子注入技术的创新发展路径。

江苏首芯半导体科技有限公司研发副总裁Arvin在《自下而上的原子级制程简介》的报告中指出，自下而上的原子级制程（ASD）通过选择性沉积实现原子级精准控制，突破传统光刻+刻蚀在2nm以下节点的EPE瓶颈，有望显著减少工艺步骤与成本。未来结合DFT模拟与AI优化，ASD将成为推进先进制程的核心技术。在半导体先进工艺制程中，复杂堆叠结构的实现至关重要，而新型ALD工艺为此提供了有力的支持。

江苏道达智能科技有限公司副总经理曹旭东先生在《硬科技+软实力，技术驱动国产OHT突破》的主题演讲中介绍到，在半导体晶圆制造的物料搬运环节，天车搬运系统OHT的12寸前道晶圆制造市场长期被国外垄断。极其复杂的系统结构和调度算法，对洁净度、振动控制、静电防护、定位精度等极高的要求等让OHT系统的落地面临诸多挑战。他为我们分享在OHT系统研发中的硬科技与软实力，以及如何通过技术驱动突破国产OHT在12寸FAB落地的困境。

上海御微半导体技术有限公司OV产品线总经理江齐先生在《HOUYI对于持续提升OVL测量精度的探索》的报告中从市场、客户需要、工艺迭代三个维度剖析了晶圆套刻误差量测领域技术现状和挑战，随着集成电路制造中光刻工艺的特征尺寸不断减小，先进工艺节点对套刻误差（OVL）的工艺窗口控制越来越严格，高精度OVL测量设备面临着巨大的挑战，让我们对OVL测量精度的提升有了新的认识。

中国科学院上海光学精密机械研究所副研究员、上海镭慎光电科技有限公司总经理朱菁博士在《超精密光刻物镜系统设计与制造》报告中提到，超精密光刻物镜系统是光刻机的关键核心部件之一，其设计与制造水平直接影响到光刻机的性能。他深入介绍了超精密光刻物镜系统的设计理念、制造工艺以及在半导体制造中的应用。

上海野村微科学有限公司技术部部长小岛泉里（OJIMA SENRI）博士压轴登场，介绍《利于环境的机能水技术》。在半导体制造过程中，水处理是一个重要的环节，最先进的半导体制造工艺超过1,000道工序，其中约30~40%是清洗工序，而机能水技术的应用可以大大减少原水使用量，减少对环境的污染，更有利于半导体工厂的建设。